Menu

Hjælp

GP-AG70S2TB-P - GIGABYTE AORUS 7000s Prem. SSD - 2 TB - M.2 2280 (80mm) - PCI Express 4.0 x4 (NVMe)

GIGABYTE AORUS 7000s Prem. SSD - 2 TB - M.2 2280 (80mm) - PCI Express 4.0 x4 (NVMe)

Solid state drive, 2 TB, intern, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), buffer: 2 GB, AES, integreret kølelegeme

Varenummer: 2978530
Læs mere
4.278,00 kr.
3.422,40 kr. ekskl. moms
Fjernlager, 6-7 dages levering
Billigste privatfragt 0,00 kr.

Detaljer

Producent: GIGABYTE
Varenummer: 2978530
Model: GP-AG70S2TB-P

Til producentens hjemmeside

www.gigabyte.com/
ProduktbeskrivelseAORUS 7000s Prem. - solid state drive - 2 TB - PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
TypeSolid state drive - intern
Kapacitet2 TB
Integreret kølelegemeJa
Krypterings algoritmeAES
NAND Flashhukommelses-type3D triple-level cell (TLC)
ModelM.2 2280
GrænsefladePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Buffer størrelse2 GB
EgenskaberTRIM support, Wear Leveling Support, passiv køling, LDCP-fejlrettelse, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.4, DDR4 DRAM Cache, Phison PS5018-E18 controller, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)23.5 mm x 92 mm x 44.7 mm

Generelt

Enhedstype Solid state drive - intern
Kapacitet 2 TB
Krypterings algoritme AES
NAND Flashhukommelses-type 3D triple-level cell (TLC)
Integreret kølelegeme Ja
Model M.2 2280
Grænseflade PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Buffer størrelse 2 GB
Egenskaber TRIM support, Wear Leveling Support, passiv køling, LDCP-fejlrettelse, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.4, DDR4 DRAM Cache, Phison PS5018-E18 controller, S.M.A.R.T.
Bredde 23.5 mm
Dybde 92 mm
Højde 44.7 mm

Præstation

SSD-udholdenhed 1400 TB
Intern datahastighed 7000 MBps (læs) / 6850 MBps (skriv)
4KB Random Read 650000 IOPS
4KB Random Write 700000 IOPS

Ekspansion og forbindelse

Interface 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibel bås M.2 2280

Effekt

Strømforbrug 7.6 Watt (gennemsnitlig læs)
8.4 Watt (gennemsnitlig skriv)
30 mW (ledig)

Diverse

Overensstemmelsesstandarder AES-256
The 2nd generation PCIe 4.0 controller PS5018-E18 deliver sequential read/write up to 7GB/s with 3D TLC NAND Flash. The E18 controller is built with the advanced 12nm process ensuring sufficient computing power. Also it supports up to 8 NAND Flash channel with 32CE, DDR4 caching and meets NVMe 1.4.

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten.
Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.