SSD (Solid state drive), 512 GB, intern, Datahastighed: 3000 MBps (læs) / 1800 MBps (skriv), IOPS: 420000 (læs) / 270000 (skriv), M.2 2280 (80mm), PCI Express 3.0 x4 NVMe 1.1 (Non-Volatile Memory Express), 256 bit AES kryptering - Samsung Phoenix Controller
| Produktbeskrivelse | Samsung PM981 MZVLB512HAJQ - solid state drive - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Type | Solid state drive - intern - 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
| Kapacitet | 512 GB |
| Hardware kryptering | Ja |
| Krypterings algoritme | 256-bit AES-XTS |
| NAND Flashhukommelses-type | 3D multi-niveaucelle (MLC) |
| Model | M.2 2280 |
| Grænseflade | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Egenskaber | 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
| Dimensioner (B x D x H) | 22 mm x 80 mm x 2.38 mm |
| Vægt | 9 g |
Generelt | |
|---|---|
| Enhedstype | Solid state drive - intern |
| Kapacitet | 512 GB |
| Hardware kryptering | Ja |
| Krypterings algoritme | 256-bit AES-XTS |
| NAND Flashhukommelses-type | 3D multi-niveaucelle (MLC) |
| Model | M.2 2280 |
| Grænseflade | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Byte pr. sektor | 512 |
| Egenskaber | 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
| Bredde | 22 mm |
| Dybde | 80 mm |
| Højde | 2.38 mm |
| Vægt | 9 g |
Præstation | |
|---|---|
| Intern datahastighed | 3000 MBps (læs) / 1800 MBps (skriv) |
| Maximum 4KB Random Write | 420000 IOPS |
| Maksimal 4 KB tilfældig læsning | 270000 IOPS |
Driftssikkerhed | |
|---|---|
| MTBF (forventet tid mellem fejl) | 1,500,000 timer |
| Korrigerbare fejl | 1 pr. 10^15 |
Ekspansion og forbindelse | |
|---|---|
| Interface | PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibel bås | M.2 2280 |
Effekt | |
|---|---|
| Strømforbrug | 5.9 Watt (læs) 5.7 Watt (skriv) 30 mW (ledig) |
Diverse | |
|---|---|
| Overensstemmelsesstandarder | TUV, VCCI, BSMI, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, cULus, RCM |
Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten.
Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
