Hjælp

SSD - Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Med køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P2T0CW / GW
Varenummer: 3173145
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW

Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Med køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 2 TB, intern, overførselshastighed: 7450 Mbps (læs) / 6900 Mbps (skriv), IOPS: 1400000 Mbps (læs) / 1550000 Mbps (skriv), 2GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage kompatibel, Samsung Pascal S4LV008 controller, NB! Leveres bulk (uden tilbehør)

1.349,00 kr.
1.079,20 kr. ekskl. moms
Fjernlager, 2-3 dages levering (Forventes på eget lager 30-11-2023)
Billigste privatfragt 0,00 kr.

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Producent
Varenummer
3173145
Model
MZ-V9P2T0CW / GW
Ean
8806094413755
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Integreret kølelegeme
Ja
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
Stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Dimensioner (B x D x H)
24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Vægt
28 g
Designet for
Sony PlayStation 5

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Integreret kølelegeme
Ja
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
Stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Bredde
24.3 mm
Dybde
80 mm
Højde
8.2 mm
Vægt
28 g

Præstation

Intern datahastighed
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
1400000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Interface
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.8 Watt (læs)
5.1 Watt (skriv)
55 mW (ledig)
5 mW (L1.2 tilstand)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
IEEE 1667
Pakkedetaljer
Boks

Miljømæssige parametre

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. driftstemperatur
70 °C
Min. lagertemperatur
-40 °C
Maks. Opbevaringstemperatur
85 °C
Fugtighedsgrad ved brug
5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
1500 g
Vibration tolerance (non-operativ)
20 g @ 20-2000 Hz

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som kan virke misvisende.